BC850 NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorius 30V, 100mA NPN bendrosios paskirties tranzistoriai paviršiuje montuojamų įrenginių (SMD) plastikiniuose paketuose.
BC849 NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorius 30 V, 100 mA NPN bendrosios paskirties tranzistoriai ant paviršiaus montuojamų įrenginių (SMD) plastikiniuose paketuose.
BC848 NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorius 30 V, 100 mA NPN bendrosios paskirties tranzistoriai paviršiuje montuojamų įrenginių (SMD) plastikiniuose paketuose
BC847 NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorius 45 V, 100 mA NPN bendrosios paskirties tranzistoriai mažame SOT23 (TO-236), labai mažame SOT323 (SC-70) arba itin mažame SOT883 (DFN1006-3) paviršiuje montuojamame plastikiniame įrenginyje paketą.
BC846 NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorius – puslaidininkis, turintis kietą, nejudančią dalį, kuri praleidžia krūvį. Tranzistorius gali sustiprinti ir perjungti elektroninius signalus bei elektros energiją ir yra pagamintas iš puslaidininkinės medžiagos su mažiausiai trimis gnybtais, kurie naudojami prijungti prie išorinės grandinės. Tranzistoriai gali sustiprinti signalą, nes išėjimo galia gali būti didesnė už įėjimo galią. Įjungus įtampą arba srovę vienai iš gnybtų porų, keičiasi srovė per kitą gnybtų porą.
BC818 NPN silicio epitaksinis tranzistorius, skirtas perjungimui, AF tvarkyklei ir stiprintuvui. Ypač tinka automatiniam įterpimui į storos ir plonos plėvelės grandines.