MMBT9013 NPN silicio epitaksiniai plokštumai bendrosios paskirties tranzistoriai

●MMBT9013 NPN silicio epitaksiniai plokštumai bendrosios paskirties tranzistoriai – viršutinis diodas

MMBT9013 NPN silicio epitaksiniai plokštumai bendrosios paskirties tranzistoriaiNPN 500mA 30V SOT-23

MMBT9013 NPN silicio epitaksiniai plokštieji tranzistoriai yra skirti perjungimui ir stiprintuvams.

Kaip papildomus tipus rekomenduojamas PNP tranzistorius MMBT9012.

●MMBT9013 NPN silicio epitaksiniai plokštumai bendrosios paskirties tranzistorių įvadas

MMBT9013 1W geriamųjų radijo imtuvų išvesties stiprintuvas, veikiantis B klasės „push-pull“ režimu

MMBT9013 NPN silicio epitaksiniai plokštuminiai tranzistoriai

●MMBT9013 NPN silicio epitaksiniai plokštumai bendrosios paskirties tranzistorių SAVYBĖS

* Didelė bendra galios išsklaidymas. (625 mW)

* Didelė kolektoriaus srovė. (500 mA)

* Puikus hFE tiesiškumas.

*Papildo MMBT9012

*MMBT9013 SMD bendrosios paskirties tranzistorius (NPN), skirtas perjungimui ir stiprintuvams

●MMBT9013 NPN silicio epitaksinių plokščių bendrosios paskirties tranzistorių taikymas

* Bendrosios paskirties perjungimas ir stiprinimas

* Perjungimo režimo maitinimo šaltinis (SMPS)

* Adapteriai

* Apšvietimo programa

* Įmontuotas DC/DC keitiklis

●MMBT9013 NPN silicio epitaksiniai plokštumai bendrosios paskirties tranzistorių kvalifikacija，Pristatymas, pristatymas ir sąlygos

* Atitinka RoHS reikalavimus

* Atitinka REACH

* Įprastas atsarginis diodas;

* Ex-work, FCA sąlygos arba FOB sąlygos

●MMBT9013 NPN silicio epitaksinių plokščių bendrosios paskirties tranzistorių kontūrai ir išoriniai matmenys

●MMBT9013 NPN silicio epitaksiniai plokštumai bendrosios paskirties tranzistoriai MAKSIMALIAI REIKALAVIMAI IR ELEKTRINĖS CHARAKTERISTIKOS

Absoliutus didžiausi įvertinimai (Ta = 25℃)

Charakteristikos esant Ta = 25℃

●Su MMBT9013 NPN silicio epitaksiniais plokščiaisiais bendrosios paskirties tranzistoriais susijusios dalys

Atitinka RoHS

Atitinka REACH