Nauji produktai

MMBT8050 NPN silicio epitaksinis plokščiasis tranzistorius

MMBT8050 NPN silicio epitaksinis plokščiasis tranzistorius yra SOT-23 plastikinė pakuotė. Yra trys gnybtai, kurie reiškia bazę, emiterį ir kolektorių. Skirta perjungimui ir stiprintuvams, ypač tinka AF tvarkyklės pakopoms ir mažos galios išėjimo pakopoms. Tranzistorius yra suskirstytas į dvi grupes C ir D pagal jo nuolatinės srovės stiprinimą

Siųsti užklausą PDF "DownLoad

Prekės aprašymas
Specifikacijos
parsisiųsti

●MMBT8050 NPN silicio epitaksinis plokščiasis tranzistorius – viršutinis diodas

MMBT8050 NPN silicio epitaksinis plokščiasis tranzistorius yra SOT-23 plastikinė pakuotė. Yra trys gnybtai, kurie reiškia bazę, emiterį ir kolektorių. Skirta perjungimui ir stiprintuvams, ypač tinka AF tvarkyklės pakopoms ir mažos galios išėjimo pakopoms. Tranzistorius yra suskirstytas į dvi grupes C ir D pagal jo nuolatinės srovės stiprinimą

●MBT8050 NPN silicio epitaksinio plokštuminio tranzistoriaus įvadas

MMBT8050 NPN silicio epitaksinis plokščiasis tranzistorius, skirtas perjungimui ir stiprintuvams.

Kaip papildomą tipą rekomenduojamas PNP tranzistoriusMMBT8550.

●MMBT8050 NPN silicio epitaksinio plokštuminio tranzistoriaus savybės

* NPN silicio epitaksinis plokštuminis tranzistorius, skirtas perjungimui ir stiprintuvams

* Ypač tinka AF tvarkyklės etapams ir mažos galios išvesties etapams.

* SMD plastikinės pakuotės

* Nemokamas MMBT8550

* Kolektoriaus srovė

●MMBT8050 NPN silicio epitaksinis plokštuminis tranzistorius

* perjungimo ir stiprintuvo programoms

●MBT8050 NPN tranzistoriaus kvalifikacija, pristatymo laikas, pristatymo sąlygos.

* Atitinka RoHS

* Atitinka REACH

* Ex-work, FCA arba FOB

* Yra įprastų atsargų

●MMBT8050 NPN silicio epitaksinio plokštuminio tranzistoriaus kontūrai ir išoriniai matmenys

●MMBT8050 NPN silicio epitaksinis plokštuminis tranzistorius ELEKTRINĖS CHARAKTERISTIKOS

Absoliutus didžiausios vertės (Ta = 25 °C)

Parametras	Simbolis	Vertė	Vienetas
Kolektoriaus bazinė įtampa	Vcbo	40	V
Kolektoriaus emiterio įtampa	Vceo	25	V
Emiterio bazinė įtampa	Vebo	6	V
Kolektoriaus srovė	lc	600	mA
Galios išsklaidymas	P viso	350	mW
Sankryžos temperatūra	Tj	150	°C
Laikymo temperatūros diapazonas	Tstg	-55 iki +150	°C

Charakteristikos esant Ta = 25 °C

Parametras	Simbolis	Min.	Tip.	Maks.	Vienetas
Nuolatinės srovės stiprinimas esant VCE= 1 V, lc= 100 mA MMBT8050C MMBT8050D atVCE= 1 V, lc=500 mA	hFE hFE hFE	100 160 40	-	250 400 -	-
Kolektoriaus bazės atjungimo srovė esant Vcb = 35 V	IcBO	-	-	100	nA
Kolektoriaus bazės gedimo įtampa esant lc= 10UA	V(BR)CBO	40	-	-	V
Kolektoriaus emiterio gedimo įtampa esant lc= 2 mA	V(BR)CBO	25	-	-	V
Emiterio bazės gedimo įtampa esant lE=100 mA	V(BR)CBO	6	-	-	V
Kolektoriaus emiterio prisotinimo įtampa esant lc= 500 mA, lB= 50 mA	VCE (šeštadienis)	-	-	0.5	V
Bazinio emiterio prisotinimo įtampa esant lc = 500 mA, lB = 50 mA	VBE (šeštadienis)	-	-	1.2	V
Gauti pralaidumą produktas esant VCe = 5 V, lc = 10 mA	fT	-	100	-	MHz

●Su MMBT8050 NPN silicio epitaksinių plokščiųjų tranzistorių tranzistorių susijusios dalys

MMBT8050 NPN silicio epitaksinis plokštuminis tranzistorius - viršutinis diodas

Atitinka RoHS

Atitinka REACH

„Hot Tags“: MMBT8050 NPN silicio epitaksinis plokščiasis tranzistorius, gamintojai, tiekėjai, pirkite, gamykla, sandėlyje, masinis, nemokamas pavyzdys, prekės ženklai, Kinija, pagaminta Kinijoje, kaina, kainoraštis, citata, REACH, ROHS, kokybė, patvarus, pažangus

Produkto žyma

Siųsti užklausą

Prašome nedvejodami kreipkitės į žemiau esančią formą. Mes atsakysime jums per 24 valandas.

Produktai