Kinijos MMBT8050 1.5A NPN tranzistorių gamintojai ir tiekėjai

Prekės aprašymas
Specifikacijos
parsisiųsti

●MMBT8050 1.5A NPN tranzistorius – viršutinis diodas

MMBT8050 1.5A NPN tranzistorius 350MW 25V 1.5A didelės srovės SOT-23 paketas

MMBT8050 ir MMBT8550 yra SOT-23 plastikinė pakuotė. Yra trys gnybtai, kurie reiškia bazę, emiterį ir kolektorių. Skirta perjungimui ir stiprintuvams, ypač tinka AF tvarkyklės pakopoms ir mažos galios išėjimo pakopoms.

●MMBT8050 1.5A NPN tranzistoriusĮvadas

Šis įrenginys skirtas bendrosios paskirties aukštos įtampos stiprintuvams ir dujų išlydžio ekranų tvarkyklėms.

Kaip papildomas PNP tranzistoriaus tipas rekomenduojamas MMBT8550.

NPN silicio epitaksiniai plokštuminiai tranzistoriai MMBT8050

●MMBT8050 1.5A NPN tranzistoriusfunkcijos

* Skirta perjungimo ir stiprintuvo programoms.
* Ypač tinka AF tvarkyklės etapams ir mažos galios išvesties etapams

*Kolektoriaus srovė iki 1500mA

*Kolektoriaus-emiterio įtampa iki 25V

*Papildo MMBT8550

●MMBT8050 1.5A NPN tranzistoriaus taikymas

* Skirta perjungimo ir stiprintuvo programoms

* Ryšio tinklas

* Apsaugos nuo vagystės įranga,

* Elektroninė įranga

* Buitinė elektros technika

●MMBT8050 1.5A NPN tranzistoriaus kvalifikacijaï¼ŒPristatymas, pristatymas ir sąlygos

* Atitinka RoHS reikalavimus

* Atitinka REACH

* Galimas įprastinis diodų diodų lygintuvas M7;

* Ex-work, FCA sąlygos arba FOB sąlygos

●MMBT8050 1.5A NPN tranzistoriaus kontūrai ir išoriniai matmenys

●MMBT8050 1.5A NPN tranzistorius MAX Ratings ir ELEKTROS CHARAKTERISTIKOS

Absoliutus didžiausi įvertinimai (Ta = 25â„ƒ)

Parametras	Simbolis	Vertė	Vienetas
Kolektoriaus bazinė įtampa	VCBO	40	V
Kolektoriaus emiterio įtampa	VCEO	25	V
Emiterio bazinė įtampa	VEBO	6	V
Kolektoriaus srovė	IC	1.5	A
Galios išsklaidymas	Ptot	350	mW
Sankryžos temperatūra	Tj	150	℃
Laikymo temperatūros diapazonas	Tstg	- nuo 55 iki + 150	℃

Charakteristikos esant Ta = 25â„ƒ

Parametras	Simbolis	Min.	Maks.	Vienetas
Nuolatinės srovės stiprinimas esant VCE = 1 V, IC = 100 mA MMBT8050C MMBT8050D esant VCE= 1 V, IC= 800 mA	hFE	100 160 40	250 400 -	- - -
Kolektoriaus bazės atjungimo srovė esant VCB = 35 V	ICBO	-	100	nA
Emiterio bazės ribinė srovė prie VEB = 6 V	IEBO	-	100	nA
Kolektoriaus bazės gedimo įtampa esant IC= 100 µA	V(BR)CBO	40	-	V
Kolektoriaus emiterio gedimo įtampa esant IC= 2 mA	V(BR) generalinis direktorius	25	-	V
Emiterio bazės gedimo įtampa esant IE = 100 µA	V(BR)EBO	6	-	V
Kolektoriaus emiterio prisotinimo įtampa esant IC= 800 mA, IB= 80 mA	VCE (šeštadienis)	-	0.5	V
Bazinio emiterio prisotinimo įtampa esant IC= 800 mA, IB= 80 mA	VBE (šeštadienis)	-	1.2	V
Bazinė emiterio įtampa esant VCE= 1 V, IC= 10 mA	VBE (įjungta)	-	1	V
Gauti pralaidumą produktas esant VCE= 10 V, IC= 50 mA	fT	120	-	MHz

●Su MMBT8050 1,5A NPN tranzistoriumi susijusios dalys

MMBT8050 1.5A NPN tranzistorius-viršutinis diodas

Atitinka RoHS

Atitinka REACH

„Hot Tags“: MMBT8050 1.5A NPN tranzistorius, gamintojai, tiekėjai, pirkti, gamykla, sandėlyje, masinis, nemokamas pavyzdys, prekės ženklai, Kinija, pagaminta Kinijoje, kaina, kainoraštis, citata, REACH, ROHS, kokybė, patvarus, pažangus