Nauji produktai

MMBT491A NPN silicio epitaksinis plokščiasis tranzistorius

MMBT491A NPN silicio epitaksinis plokštuminis tranzistorius 1A 5V 150MHz SMD SOT-23The MMBT441A yra silicio NPN tranzistorius SOTâˆ’23 tipo paviršinio montavimo pakete, skirtas naudoti kaip vidutinis stiprintuvas ir jungiklis

Siųsti užklausą PDF "DownLoad

Prekės aprašymas
Specifikacijos
parsisiųsti

●MMBT491A NPN silicio epitaksinis plokščiasis tranzistorius - viršutinis diodas

MMBT491A NPN silicio epitaksinis plokščiasis tranzistorius 1A 5V 150MHz SMD SOT-23

MMBT441A yra silicio NPN tranzistorius SOTâˆ’23 tipo paviršinio montavimo pakuotėje, skirtas naudoti kaip vidutinis stiprintuvas ir jungiklis.

●MMBT491A NPN silicio epitaksinio plokštuminio tranzistoriaus įvadas

Šis prietaisas skirtas naudoti kaip vidutinės galios stiprintuvas ir jungiklis, kuriam reikalinga kolektorių srovė iki 500 mA

●MMBT491A NPN silicio epitaksinio plokštuminio tranzistoriaus savybės

* Pagrindinis tikslas

* Trys srovės stiprinimo grupės

* Didelis stabilumas ir didelis patikimumas

●MMBT491A NPN silicio epitaksinio plokštuminio tranzistoriaus taikymas

* MMBT491A bendras naudojimas ir tinka daugeliui skirtingų programų

●MMBT491A NPN silicio epitaksinio plokštuminio tranzistoriaus kvalifikacijaï¼ŒPristatymas, pristatymas ir sąlygos

* Atitinka RoHS reikalavimus

* Atitinka REACH

* Įprastas atsarginis diodas

* Ex-work, FCA sąlygos arba FOB sąlygos

●MMBT491A NPN silicio epitaksinio plokštuminio tranzistoriaus kontūrai ir išoriniai matmenys

●MMBT491A NPN silicio epitaksinis plokštuminis tranzistorius MAKSIMALIAI REIKALAVIMAI IR ELEKTRINĖS CHARAKTERISTIKOS

Absoliutus didžiausios vertės (Ta = 25 °C)

Parametras	Simbolis	Vertė	Vienetas
Kolektoriaus bazinė įtampa	VCBO	40	V
Kolektoriaus emiterio įtampa	VCEO	40	V
Emiterio bazinė įtampa	VEBO	5	V
Kolektoriaus srovė	IC	1	A
Didžiausia impulsinė srovė	ICM	2	A
Galios išsklaidymas	Ptot	200	mW
Sankryžos temperatūra	TJ	150	°C
Laikymo temperatūros diapazonas	TStg	- nuo 55 iki + 150	°C

Charakteristikos esant Ta = 25 OC

Parametras	Simbolis	Min.	Maks.	Vienetas
Nuolatinės srovės stiprinimas esant VCE= 5 V, IC= 1 mA esant VCE= 5 V, IC= 500 mA esant VCE = 5 V, IC = 1 A	hFE	300 300 200	- 900 -	- - -
Kolektoriaus bazės atjungimo srovė esant VCB = 30 V	ICBO	-	100	nA
Kolektoriaus emiterio atjungimo srovė esant VCE = 30 V	ICES	-	100	nA
Emiterio bazės ribinė srovė VEB = 4 V	IEBO	-	100	nA
Kolektoriaus emiterio prisotinimo įtampa esant IC= 500 mA, IB= 50 mA esant IC= 1 A, IB= 100 mA	VCEsat	- -	0.3 0.5	V
Bazinio emiterio prisotinimo įtampa esant IC= 1 A, IB= 100 mA	VBEsat	-	1.2	V
Bazinė emiterio įtampa esant IC = 1 A, VCE = 5 V	VBE	-	1.1	V
Kolektoriaus išėjimo talpa esant VCB= 10 V, f = 1 MHz	Cob	-	10	pF
Gauti pralaidumą produktas esant VCE = 10 V, IC = 50 mA, f = 100 MHz	fT	150	-	MHz

●Su MMBT491A NPN silicio epitaksiniu plokštuminiu tranzistoriumi susijusios dalys

MMBT491A NPN silicio epitaksinis plokščiasis tranzistorius-viršutinis diodas

Atitinka RoHS

Atitinka REACH

„Hot Tags“: MMBT491A NPN silicio epitaksinis plokščiasis tranzistorius, gamintojai, tiekėjai, pirkite, gamykla, sandėlyje, masinis, nemokamas pavyzdys, prekės ženklai, Kinija, pagaminta Kinijoje, kaina, kainoraštis, citata, REACH, ROHS, kokybė, patvarus, pažangus

Produkto žyma

Siųsti užklausą

Prašome nedvejodami kreipkitės į žemiau esančią formą. Mes atsakysime jums per 24 valandas.

Produktai