Kinijos MMBT3906 NPN epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistorių gamintojai ir tiekėjai

Prekės aprašymas
Specifikacijos
parsisiųsti

MMBT3906 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius – viršutinis diodas

Dvipoliai tranzistoriai - BJT PNP -40Vcbo -40Vceo Vebo -6V -200mA

MMBT3906 PNP epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius, skirtas bendrosios paskirties stiprintuvams ir perjungimo programoms.

MMBT3906 yra bendrosios paskirties tranzistorius su nuolat reguliuojama įtampa, maža dinamine išėjimo varža, vienodos temperatūros charakteristikomis, žemu išėjimo įtampos triukšmu.

Kaip papildomus tipus rekomenduojami NPN tranzistoriai MMBT3904.

●MMBT3906 PNP epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistoriaus įvadas

MMBT3906 PNP silicio bendrosios paskirties tranzistorius yra SOT23 plastikinė pakuotė. NPN papildymas: MMBT3904.

●MMBT3906 PNP epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistoriaus SAVYBĖS

* Kolektoriaus srovės galia IC = âˆ’200 mA

* Kolektoriaus-emiterio įtampa VCEO = âˆ’40 V.

* Papildomas NPN tipas: MMBT3904

* Maži energijos nuostoliai, didelis efektyvumas

* Idealiai tinka automatiniam išdėstymui

●MMBT3906 PNP epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistoriaus taikymas

* Perjungimo režimo maitinimo šaltinis (SMPS)

* Adapteriai

* Apšvietimo programa

* Įmontuotas DC/DC keitiklis

●MMBT3906 PNP epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistoriaus gaminio kvalifikacija, pristatymo laikas, pristatymo sąlygos

* Atitinka RoHS reikalavimus

* Atitinka REACH

* Įprastas atsarginis diodas

* Ex-work, FCA sąlygos arba FOB sąlygos

●MMBT3906 NPN epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistoriaus kontūrai ir išoriniai matmenys

●MMBT3906 PNP epitaksinio silicio bendros paskirties tranzistoriaus elektrinės charakteristikos

Absoliutus didžiausios vertės (Ta = 25 °C)

Parametras	Simbolis	Vertė	Vienetas
Kolektoriaus bazinė įtampa	-VCBO	40	V
Kolektoriaus emiterio įtampa	-VCEO	40	V
Emiterio bazinė įtampa	-VEBO	6	V
Kolektoriaus srovė	-IC	200	mA
Galios išsklaidymas	Ptot	350	mW
Sankryžos temperatūra	Tj	150	°C
Laikymo temperatūros diapazonas	Tstg	- nuo 55 iki + 150	°C

Charakteristikos esant Ta = 25 °C

Parametras	Simbolis	Min.	Maks.	Vienetas
Nuolatinės srovės stiprinimas esant -VCE= 1 V, -IC= 0,1 mA esant -VCE= 1 V, -IC= 1 mA esant -VCE= 1 V, -IC= 10 mA esant -VCE= 1 V, -IC= 50 mA esant -VCE= 1 V, -IC= 100 mA	hFE	60 80 100 60 30	- - 300 - -	- - - - -
Kolektoriaus bazės atjungimo srovė esant -VCB= 30 V	-ICBO	-	50	nA
Emiterio bazės ribinė srovė esant -VEB= 6 V	-IEBO	-	50	nA
Kolektoriaus bazės gedimo įtampa esant -IC= 10 Î¼A	-V(BR)CBO	40	-	V
Kolektoriaus emiterio gedimo įtampa esant -IC= 1 mA	-V(BR)generalinis direktorius	40	-	V
Emiterio bazės gedimo įtampa esant -IE= 10 Î¼A	-V(BR)EBO	6	-	V
Kolektoriaus emiterio prisotinimo įtampa esant -IC= 10 mA, -IB=1 mA esant -IC= 50 mA, -IB= 5 mA	-VCE (šeštadienis) -VCE (šeštadienis)	- -	0.25 0.4	V V
Bazinio emiterio prisotinimo įtampa esant -IC= 10 mA, -IB= 1 mA esant -IC= 50 mA, -IB= 5 mA	-VBE (šeštadienis) -VBE (šeštadienis)	0.65 -	0.85 0.95	V V
Dabartinis pralaidumo padidinimo produktas esant -VCE= 20 V, -IC= 10 mA, f = 100 MHz	fT	250	-	MHz
Išėjimo talpa esant -VCB= 5 V, IE= 0, f = 1 MHz	Cobo	-	4.5	pF
Vėlavimo laikas esant -VCC = 3 V, -VBE = 0,5 V, -IC = 10 mA, -IB1 = 1 mA	td	-	35	ns
Kilimo laikas esant -VCC = 3 V, -VBE = 0,5 V, -IC = 10 mA, -IB1 = 1 mA	tr	-	35	ns
Saugojimo laikas esant -VCC = 3 V, -IC = 10 mA, -IB1 = IB2 = 1 mA	ts	-	225	ns
Rudens laikas esant -VCC = 3 V, -IC = 10 mA, -IB1 = IB2 = 1 mA	tf	-	75	ns

●Su MMBT3906 PNP epitaksiniu silicio bendrosios paskirties tranzistoriumi susijusios dalys

MMBT3906 PNP epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius – viršutinis diodas

Atitinka RoHS

Atitinka REACH

„Hot Tags“: MMBT3906 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius, gamintojai, tiekėjai, pirkite, gamykla, sandėlyje, masinis, nemokamas pavyzdys, prekės ženklai, Kinija, pagaminta Kinijoje, kaina, kainoraštis, citata, REACH, ROHS, kokybė, patvarus, pažangus

Produkto žyma

Siųsti užklausą

Prašome nedvejodami kreipkitės į žemiau esančią formą. Mes atsakysime jums per 24 valandas.

Produktai

Nauji produktai

MMBT3906 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius

MMBT3906 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius yra skirtas bendrosios paskirties stiprintuvams ir perjungimo programoms.