Kinijos MMBT3904 NPN epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistorių gamintojai ir tiekėjai

Prekės aprašymas
Specifikacijos
parsisiųsti

●MMBT3904 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius – viršutinis diodas

MMBT3904 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistoriusï¼ŒDvipoliai tranzistoriai – BJT 40V NPN 40Vceo 6Vebo 200mA

MMBT3904 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius sukurtas kaip bendrosios paskirties stiprintuvas ir jungiklis. Naudingas dinaminis diapazonas išplečiamas iki 100 mA kaip jungiklis ir iki 100 MHz kaip stiprintuvas

●MMBT3904NPN epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistoriaus įvadas

MMBT3904 iš Topdidoe yra ant paviršiaus montuojamas, NPN bendrosios paskirties stiprintuvas SOT-23 pakuotėje. Šis įrenginys tinka bendrosios paskirties stiprinimo ir perjungimo programoms.

PNP papildymas: MMBT3906

●MMBT3904 40V NPN MAŽAS SIGNALINIS TRANZISTORIUS SOT23

MMBT3904NPN epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistoriaus savybės

* Epitaksinės plokštumos konstrukcija

* Galimas papildomas PNP tipas (MMBT3906)

* Idealiai tinka vidutinei galiai stiprinti ir perjungti

* Kolektoriaus srovės galia IC = 200 mA

* Kolektoriaus-emiterio įtampa VCEO = 40 V.

●MMBT3904 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius

* Bendras perjungimas

* Tvarkyklės moduliai, tokie kaip relės tvarkyklė, LED tvarkyklė ir kt.

* Stiprintuvų moduliai, tokie kaip garso stiprintuvai, signalo stiprintuvas ir kt.

* VCB ir VBE yra aukšti, todėl gali būti naudojami iki 40 V įtampos apkrovoms valdyti

* Dažniausiai naudojamas televizoriuje ir kituose buitiniuose prietaisuose

* Signalų apdorojimas,

* Energijos valdymas, nešiojamieji įrenginiai,

* Buitinė elektronika, pramonė

●MMBT3904 NPN epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistoriaus gaminio kvalifikacija, pristatymo laikas, pristatymo sąlygos

* Atitinka RoHS reikalavimus

* Atitinka REACH

* Įprastas atsarginis diodas

* Ex-work, FCA sąlygos arba FOB sąlygos

●MMBT3904 NPN epitaksinio silicio bendros paskirties tranzistoriaus kontūrai ir išoriniai matmenys

●MMBT3904 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius ELEKTROS CHARAKTERISTIKOS

Absoliutus didžiausios vertės (L = 25 °C)

Parametras	Simbolis	Vertė	Vienetas
Kolektoriaus bazinė įtampa	VCBO	60	V
Kolektoriaus emiterio įtampa	VCEO	40	V
Emiterio bazinė įtampa	VEBO	6	V
Kolektoriaus srovė	lc	200	mA
Galios išsklaidymas	Ptot	350	mW
Sankryžos temperatūra	Tj	150	°C
Laikymo temperatūros diapazonas	Tstg	-55 iki +150	°C

MMBT3904

Charakteristikos esant Ta= 25 °C Parametras	Simbolis	Min.	Maks.	Vienetas
Nuolatinės srovės stiprinimas esant VCE = 1 V, lc = 0,1 mA	hFE	40	-	-
esant VCE = 1 V, lc = 1 mA	hFE	70	-	-
esant VCE= 1 V, lc= 10 mA	hFE	100	300	-
esant VCE= 1 V, lc=50 mA	hFE	60	-	-
atVCE = 1 V, lc = 100 mA	hFE	30	-	-
Kolektoriaus bazės atjungimo srovė atVCb = 30 V	ICBO	-	50	nA
Emiterio bazės ribinė srovė ties VEB = 6 V	IEBO	-	50	nA
Kolektoriaus bazės gedimo įtampa esant lc= 10 uA	V(BR)CBO	60	-	V
Kolektoriaus emiterio gedimo įtampa esant lc = 1 mA	V(BR) generalinis direktorius	40	-	V
Emiterio bazės gedimo įtampa atIe=10uA	V(BR)EBO	6	-	V
Kolektoriaus emiterio prisotinimo įtampa esant lc= 10 mA, lB= 1 mA esant lc= 50 mA, lB= 5 mA	VCE (šeštadienis)	-	0.2 0.3	V V
Bazinio emiterio prisotinimo įtampa esant lc= 10 mA, lB= 1 mA esant lc= 50 mA, lB= 5 mA	VBE (šeštadienis) VBE (šeštadienis)	0.65 -	0.85 0.95	V V
Dabartinis pralaidumo padidinimo produktas esant VCE = 20 V, lc = 10 mA, f = 100 MHz	fT	300	-	MHz
Kolektoriaus išėjimo talpa esant VCB=5V, lE=0, f=1 MHz	Cob	-	4	pF
Vėlavimo laikas esant VCC = 3 V, VBE = 0,5 V, lc = 10 mA, lB1 = 1 mA	td	-	35	ns
Kilimo laikas esant Vcc = 3 V, VBE = 0,5 V, lc = 10 mA, Ib1 = 1 mA	tr	-	35	ns
Saugojimo laikas esant Vcc=3 V, lc=10 mA, IB1=-IB2=1 mA	ts	-	200	ns
Rudens laikas esant VCC= 3 V, lc= 10 mA, I = -I = 1 mA	tf	-	50	ns

●Su MMBT3904 NPN epitaksiniu silicio bendrosios paskirties tranzistoriumi susijusios dalys

MMBT3904 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius – viršutinis diodas

Atitinka RoHS

Atitinka REACH

„Hot Tags“: MMBT3904 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius, gamintojai, tiekėjai, pirkite, gamykla, sandėlyje, masinis, nemokamas pavyzdys, prekės ženklai, Kinija, pagaminta Kinijoje, kaina, kainoraštis, citata, REACH, ROHS, kokybė, patvarus, pažangus

Produkto žyma

Siųsti užklausą

Prašome nedvejodami kreipkitės į žemiau esančią formą. Mes atsakysime jums per 24 valandas.

Produktai

Nauji produktai

MMBT3904 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius

MMBT3904 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius¼Œ dvipoliai tranzistoriai - BJT 40V NPN 40Vceo 6Vebo 200mA