Nauji produktai

MMBT2907W NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius

MMBT2907W NPN epitaksiniai silicio bendrosios paskirties tranzistoriai yra skirti naudoti bendrosios paskirties stiprintuvuose. Jie yra SOTâ€“323/SCâ€“70 pakuotėje, kuri skirta mažos galios paviršiniam montavimui.

Siųsti užklausą PDF "DownLoad

Prekės aprašymas
Specifikacijos
parsisiųsti

●MMBT2907W NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius – viršutinis diodas

MMBT2907W 60V 600mA SOT-323 paketas

MMBT2907W / MMBT2907AW PNP Silicon Epitaxial Planar Medium Power tranzistoriai yra skirti bendrosios paskirties stiprintuvams. Jie yra SOTâ€“323/SCâ€“70 pakuotėje, kuri skirta mažos galios paviršiniam montavimui.

●MMBT2907W PNP epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistoriaus įvadas

PNP dvipolis tranzistorius yra SOT-323/SC-70 pakete, kuris yra skirtas mažos galios paviršiniam montavimui.

●MMBT2907W PNP epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistoriaus savybės

* PNP epitaksinis silicis, plokštuminis dizainas

* Kolektoriaus-emiterio įtampa VCE =-40V

* Kolektoriaus srovė IC =-600mA

●MMBT2907W PNP epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistoriaus taikymas

* Skirta perjungimo ir stiprintuvo programoms

●MMBT2907W PNP epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistoriaus kvalifikacijaï¼ŒPristatymas, pristatymas ir sąlygos

* Atitinka RoHS reikalavimus

* Atitinka REACH

* Įprastas atsarginis diodas

* Ex-work, FCA sąlygos arba FOB sąlygos

●MMBT2907W PNP epitaksinio silicio bendros paskirties tranzistoriaus kontūrai ir išoriniai matmenys

●MMBT2907W PNP epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius MAKSIMALIAI REIKALAVIMAI IR ELEKTRINĖS CHARAKTERISTIKOS

Absoliutus didžiausios vertės (Ta = 25 °C)

Parametras	Simbolis	Vertė	Vienetas
Kolektoriaus bazinė įtampa	-VCBO	60	V
Kolektoriaus emiterio įtampa MMBT2907W MMBT2907AW	-VCEO	40 60	V
Emiterio bazinė įtampa	-VEBO	5	V
Kolektoriaus srovė	-IC	600	mA
Bendras galios išsklaidymas	Ptot	200	mW
Sankryžos temperatūra	Tj	150	°C
Laikymo temperatūros diapazonas	Tstg	- nuo 55 iki + 150	°C

MMBT2907W / MMBT2907AW
Charakteristikos esant Ta = 25 °C

Parametras	Simbolis	Min.	Maks.	Vienetas
Nuolatinės srovės stiprinimas esant -VCE= 10 V, -IC= 0,1 mA MMBT2907W MMBT2907AW esant -VCE= 10 V, -IC= 1 mA MMBT2907W MMBT2907AW esant -VCE= 10 V, -IC= 10 mA MMBT2907W MMBT2907AW esant -VCE= 10 V, -IC= 150 mA esant -VCE= 10 V, -IC= 500 mA MMBT2907W MMBT2907AW	hFE	35 75 50 100 75 100 100 30 50	- - - - - - 300 - -	- - - - - - - - -
Kolektoriaus bazės atjungimo srovė esant -VCB = 50 V	-ICBO	-	100	nA
Kolektoriaus emiterio atjungimo srovė esant -VCE = 30 V	- ICES	-	100	nA
Emiterio bazės ribinė srovė esant -VEB= 3 V	-IEBO	-	100	nA
Kolektoriaus bazės gedimo įtampa esant -IC= 10 µA	-V(BR)CBO	60	-	V
Kolektoriaus emiterio gedimo įtampa esant -IC= 10 mA MMBT2907W MMBT2907AW	-V(BR)generalinis direktorius	40 60	- -	V
Emiterio bazės gedimo įtampa esant -IE= 10 µA	-V(BR)EBO	5	-	V
Kolektoriaus emiterio prisotinimo įtampa esant -IC= 150 mA, -IB= 15 mA esant -IC= 500 mA, -IB= 50 mA	-VCE (šeštadienis)	- -	0.4 1.6	V
Bazinio emiterio prisotinimo įtampa esant -IC= 150 mA, -IB= 15 mA esant -IC= 500 mA, -IB= 50 mA	-VBE (šeštadienis)	- -	1.3 2.6	V
Perėjimo dažnis esant -VCE= 20 V, IE= 50 mA, f = 100 MHz	fT	200	-	MHz
Kolektoriaus išėjimo talpa esant -VCB = 10 V, f = 100 KHz	Cob	-	8	pF
Įjungimo laikas esant -VCC = 30 V, -VBE(OFF) = 1,5 V, -IC = 150 mA, -IB1 = 15 mA	tonų	-	50	ns
Vėlavimo laikas esant -VCC = 30 V, -VBE(OFF) = 1,5 V, -IC = 150 mA, -IB1 = 15 mA	td	-	10	ns
Kilimo laikas esant -VCC = 30 V, -VBE(OFF) = 1,5 V, -IC = 150 mA, -IB1 = 15 mA	tr	-	40	ns
Išjungimo laikas esant -VCC = 30 V, -IC = 150 mA, IB1 = IB2 = -15 mA	toff	-	100	ns
Saugojimo laikas esant -VCC = 30 V, -IC = 150 mA, IB1 = IB2 = -15 mA	tstg	-	80	ns
Rudens laikas esant -VCC = 30 V, -IC = 150 mA, IB1 = IB2 = -15 mA	tf	-	30	ns

●Su MMBT2907W PNP epitaksiniu silicio bendrosios paskirties tranzistoriumi susijusios dalys

MMBT2907W PNP epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius – viršutinis diodas

Atitinka RoHS

Atitinka REACH

„Hot Tags“: MMBT2907W NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius, gamintojai, tiekėjai, pirkite, gamykla, sandėlyje, masinis, nemokamas pavyzdys, prekės ženklai, Kinija, pagaminta Kinijoje, kaina, kainoraštis, citata, REACH, ROHS, kokybė, patvarus, pažangus

Produkto žyma

Siųsti užklausą

Prašome nedvejodami kreipkitės į žemiau esančią formą. Mes atsakysime jums per 24 valandas.

Produktai