Nauji produktai

MMBT2222W NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius

MMBT2222W NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius, 60V 0,6A 200mW SOT 323MMBT2222W / MMBT2222AW NPN silicio epitaksinis plokščias vidutinės galios tranzistorius, skirtas perjungimui ir stiprintuvams

Siųsti užklausą PDF "DownLoad

Prekės aprašymas
Specifikacijos
parsisiųsti

MMBT2222W NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius – viršutinis diodas

MMBT2222W NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius,60V 0,6A 200mW SOT 323

MMBT2222W / MMBT2222AW NPN Silicio epitaksinis plokščias vidutinės galios tranzistorius, skirtas perjungimui ir stiprintuvams

●MMBT2222W NPN epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistoriaus įvadas

Šie tranzistoriai skirti bendrosios paskirties stiprintuvams. Jie yra SOTâˆ'323/SCâˆ'70 pakuotėje, kuri skirta mažos galios paviršiaus montavimui.

●MMBT2222W NPN epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistoriaus savybės

* Žemas rDS(įjungtas) užtikrina didesnį efektyvumą ir prailgina baterijos veikimo laiką

* Miniatiūrinis SC-70/SOT-323 paviršinio montavimo paketas taupo lentos vietą

* NPN epitaksinis silicis, plokštuminis dizainas

* Kolektoriaus-emiterio įtampa VCE=30V

* Kolektoriaus srovė IC=600mA

●MMBT2222W NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius

* Skirta perjungimo ir stiprintuvo programoms

●MMBT2222W NPN epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistoriaus kvalifikacijaï¼ŒPristatymas, pristatymas ir sąlygos

* Atitinka RoHS reikalavimus

* Atitinka REACH

* Įprastas atsarginis diodas

* Ex-work, FCA sąlygos arba FOB sąlygos

●MMBT2222W NPN epitaksinio silicio bendros paskirties tranzistoriaus kontūrai ir išoriniai matmenys

●MMBT2222W NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistoriusMAKSIMALIAI ĮVERTINIMAI IR ELEKTROS CHARAKTERISTIKOS

Absoliutus didžiausios vertės (Ta = 25°C)

Parametras	Simbolis	Vertė		Vienetas
		MMBT2222W	MMBT2222AW
Kolektoriaus bazinė įtampa	VCBO	60	75	V
Kolektoriaus emiterio įtampa	VCEO	30	40	V
Emiterio bazinė įtampa	VEBO	5	6	V
Kolektoriaus srovė	IC	600		mA
Bendras galios išsklaidymas	Ptot	200		mW
Sankryžos temperatūra	Tj	150		°C
Laikymo temperatūros diapazonas	Tstg	- nuo 55 iki + 150		°C

MMBT2222W / MMBT2222AW
Charakteristikos esant Ta = 25 °C

Parametras		Simbolis	Min.	Maks.	Vienetas
Nuolatinės srovės stiprinimas esant VCE = 10 V, IC = 0,1 mA esant VCE= 10 V, IC= 1mA esant VCE = 10 V, IC = 10 mA esant VCE = 1 V, IC = 150 mA esant VCE = 10V, IC = 150mA esant VCE = 10 V, IC = 500 mA	MMBT2222W MMBT2222AW	hFE	35 50 75 50 100 30 40	- - - - 300 - -	- - - - - - -
Kolektoriaus bazinė įtampa esant IC= 10 µA	MMBT2222W MMBT2222AW	VCBO	60 75	- -	V
Kolektoriaus emiterio įtampa esant IC= 10 mA	MMBT2222W MMBT2222AW	VCEO	30 40	- -	V
Emiterio bazinė įtampa esant IE = 10 µA	MMBT2222W MMBT2222AW	VEBO	5 6	- -	V
Kolektoriaus bazės atjungimo srovė esant VCB = 50 V esant VCB = 60 V	MMBT2222W MMBT2222AW	ICBO	- -	100 100	nA
Emiterio bazės ribinė srovė prie VEB = 3 V		IEBO	-	100	nA
Kolektoriaus emiterio prisotinimo įtampa esant IC= 150 mA, IB= 15 mA esant IC= 500 mA, IB= 50 mA	MMBT2222W MMBT2222AW MMBT2222W MMBT2222AW	VCE (šeštadienis)	- - - -	0.4 0.3 1.6 1	V
Bazinio emiterio prisotinimo įtampa esant IC= 150 mA, IB= 15 mA esant IC= 500 mA, IB= 50 mA	MMBT2222W MMBT2222AW MMBT2222W MMBT2222AW	VBE (šeštadienis)	- 0.6 - -	1.3 1.2 2.6 2	V
Perėjimo dažnis esant VCE= 20 V, -IE= 20 mA, f = 100 MHz		fT	300	-	MHz
Kolektoriaus išėjimo talpa esant VCB = 10 V, f = 100 KHz		Cob	-	8	pF
Emiterio įvesties talpa esant VEB = 0,5 V, f = 100 KHz		Cib	-	25	pF
Vėlavimo laikas esant VCC = 30 V, VBE(OFF) = 0,5 V, IC = 150 mA, IB1 = 15 mA		td	-	10	ns
Kilimo laikas esant VCC = 30 V, VBE(OFF) = 0,5 V, IC = 150 mA, IB1 = 15 mA		tr	-	25	ns
Saugojimo laikas esant VCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = -IB2 = 15 mA		tstg	-	225	ns
Rudens laikas esant VCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = -IB2 = 15 mA		tf	-	60	ns

●Su MMBT2222W NPN epitaksiniu silicio bendrosios paskirties tranzistoriumi susijusios dalys

MMBT2222W NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius – TOPDIODE

Atitinka RoHS

Atitinka REACH

„Hot Tags“: MMBT2222W NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius, gamintojai, tiekėjai, pirkite, gamykla, sandėlyje, masinis, nemokamas pavyzdys, prekės ženklai, Kinija, pagaminta Kinijoje, kaina, kainoraštis, citata, REACH, ROHS, kokybė, patvarus, pažangus

Produkto žyma

Siųsti užklausą

Prašome nedvejodami kreipkitės į žemiau esančią formą. Mes atsakysime jums per 24 valandas.

Produktai