Nauji produktai

MMBT2222 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius

MMBT2222 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius BJT 30V 350mW SOT-23MMBT2222 NPN dvipolis tranzistorius skirtas naudoti tiesinėse ir perjungimo programose. Įrenginys yra SOT-23 pakuotėje, kuri yra skirta mažesnės galios paviršiaus montavimo programoms.

Siųsti užklausą PDF "DownLoad

Prekės aprašymas
Specifikacijos
parsisiųsti

●MMBT2222 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius – viršutinis diodas

MMBT2222 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistoriusBJT 30V 350mW SOT-23

MMBT2222 NPN dvipolis tranzistorius yra skirtas naudoti tiesinėse ir perjungimo programose. Įrenginys yra SOT-23 pakuotėje, kuri yra skirta mažesnės galios paviršiaus montavimo programoms.

●MMBT2222NPN epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistoriaus įvadas

MMBT2222 NPN bendrosios paskirties stiprintuvas Šis prietaisas skirtas naudoti kaip vidutinės galios stiprintuvas ir jungiklis, kuriam reikalingos kolektoriaus srovės iki 600 mA

MMBT2222 NPN bendrosios paskirties stiprintuvas

●MMBT2222 NPN epitaksinio silicio bendros paskirties tranzistoriaus ypatybės

* Epitaksinės plokštumos konstrukcija

* Žema prisotinimo įtampa

* Papildomas PNP tipas: MMBT2907A

* Idealiai tinka mažos galios stiprinimui ir perjungimui

* Silicio epitaksinis plokštuminis NPN tranzistorius

* Miniatiūrinė SOT-23 plastikinė pakuotė paviršinio montavimo grandinėms

* Papildomas PNP tipas yra MMBT2907A

●MMBT2222 NPN epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistorių taikymas

* Bendrosios paskirties stiprintuvo tranzistorius

* Perjungimo ir stiprinimo programa

* Šis gaminys yra plačiai naudojamas ir tinka daugeliui skirtingų programų.

* Puikiai tinka nešiojamai įrangai

* mažas apkrovos jungiklio tranzistorius su dideliu padidėjimu ir maža soties įtampa

●MMBT2222 NPN epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistoriaus kvalifikacija, pristatymo laikas, pristatymo sąlygos

* Atitinka RoHS reikalavimus

* Atitinka REACH

* Galimas įprastinis diodų diodų lygintuvas M7;

* Ex-work, FCA sąlygos arba FOB sąlygos

●MMBT2222 NPN epitaksinio silicio bendros paskirties tranzistoriaus kontūrai ir išoriniai matmenys

●MMBT2222 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius ELEKTROS CHARAKTERISTIKOS

Absoliutus didžiausios vertės (Ta = 25°C)

Parametras	Simbolis	Vertė	Vienetas
Kolektoriaus bazės įtampa MMBT2222 MMBT2222A	VCBO	60 75	V
Kolektoriaus emiterio įtampa MMBT2222 MMBT2222A	VCEO	30 40	V
Emiterio bazinė įtampa MMBT2222 MMBT2222A	VEBO	5 6	V
Kolektoriaus srovė	IC	600	mA
Galios išsklaidymas	Ptot	350	mW
Sankryžos temperatūra	Tj	150	°C
Laikymo temperatūros diapazonas	Tstg	- nuo 55 iki + 150	°C

MMBT2222 / MMBT2222A
Charakteristikos esant Ta = 25°C

Parametras		Simbolis	Min.	Maks.	Vienetas
Nuolatinės srovės stiprinimas		hFE hFE hFE hFE hFE hFE hFE	35 50 75 50 100 30 40	- - - - 300 - -	- - - - - - -
esant VCE= 10 V, IC= 0,1 mA
esant VCE= 10 V, IC= 1 mA
esant VCE= 10 V, IC= 10 mA
esant VCE= 1 V, IC= 150 mA
esant VCE= 10 V, IC= 150 mA
esant VCE= 10 V, IC= 500 mA	MMBT2222
	MMBT2222A
Kolektoriaus bazės atjungimo srovė esant VCB = 50 V	MMBT2222	ICBO	-	10	nA
esant VCB = 60V	MMBT2222A		-	10
Emiterio bazės ribinė srovė VEB = 3 V		IEBO	-	100	nA
Kolektoriaus bazės suskirstymo įtampa esant IC= 10 µA	MMBT2222 MMBT2222A	V(BR)CBO	60 75	-	V

Kolektoriaus emiterio gedimo įtampa esant IC= 10 mA	MMBT2222 MMBT2222A	V(BR) generalinis direktorius	30 40	-	V

Emiterio bazės gedimo įtampa esant IE = 10 µA	MMBT2222 MMBT2222A	V(BR)EBO	5 6	-	V

Kolektoriaus emiterio prisotinimo įtampa esant IC= 150 mA, IB= 15 mA	MMBT2222 MMBT2222A	VCE (šeštadienis)	- -	0.4 0.3	V
esant IC= 500 mA, IB= 50 mA	MMBT2222		-	1.6

	MMBT2222A		-	1
Bazinio emiterio prisotinimo įtampa esant IC= 150 mA, IB= 15 mA	MMBT2222 MMBT2222A	VBE (šeštadienis)	- 0.6	1.3 1.2	V
esant IC= 500 mA, IB= 50 mA	MMBT2222		-	2.6

	MMBT2222A		-	2
Perėjimo dažnis esant VCE= 20 V, -IE= 20 mA, f = 100 MHz		fT	300	-	MHz
Kolektoriaus išėjimo talpa esant VCB = 10 V, f = 100 KHz		Cob	-	8	pF
Vėlavimo laikas esant VCC = 30 V, VBE(OFF) = 0,5 V, IC= 150 mA, IB1= 15 mA		td	-	10	ns
Kilimo laikas esant VCC = 30 V, VBE(OFF) = 0,5 V, IC = 150 mA, IB1 = 15 mA		tr	-	25	ns
Saugojimo laikas esant VCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = -IB2 = 15 mA		tstg	-	225	ns
Rudens laikas esant VCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = -IB2 = 15 mA		tf	-	60	ns

●Su MMBT2222 NPN epitaksiniu silicio bendrosios paskirties tranzistoriumi susijusios dalys

MMBT2222 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius – viršutinis diodas

Atitinka RoHS

Atitinka REACH

„Hot Tags“: MMBT2222 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius, gamintojai, tiekėjai, pirkite, gamykla, sandėlyje, masinis, nemokamas pavyzdys, prekės ženklai, Kinija, pagaminta Kinijoje, kaina, kainoraštis, citata, REACH, ROHS, kokybė, patvarus, pažangus

Produkto žyma

Siųsti užklausą

Prašome nedvejodami kreipkitės į žemiau esančią formą. Mes atsakysime jums per 24 valandas.

Produktai