●MM1Z2V2B per MM1Z39B silicio plokštuminis Zenerio diodas – viršutinis diodas
MM1Z2V2B per MM1Z39B silicio plokštuminis Zener diodas yra SMD plokštuminis Zener diodas, galios išsklaidymas: maks. 500 mW, maža plastikinė pakuotė SOD-123, tinkama montuoti ant paviršiaus (SMD), paklaida apie ± 5%.
● MM1Z2V2B per MM1Z39B silicio planarinis Zenerio diodas Įvadas:
MM1Z2V2B per MM1Z39B silicio plokštuminis Zener diodas yra SMD plokštuminis Zener diodas, galios išsklaidymas: maks. 500 mW, maža plastikinė pakuotė SOD-123, tinkama montuoti ant paviršiaus (SMD), paklaida apie ± 5%. Platus įtampos skirstymas nuo 2,2V iki 39V
●MM1Z2V2B per MM1Z39B silicio planarinio Zenerio diodo savybės:
* Bendra galios išsklaidymas 500 mW
* Platus Zener atvirkštinės įtampos diapazonas nuo 2,2 V iki 39 V
* Maža plastikinė pakuotė, tinkanti ant paviršiaus montuojama konstrukcija (SMD)
* Paklaida maždaug +/- 5 %
●MM1Z2V2B per MM1Z39B silicio planarinio Zenerio diodo taikymas:
* Įtampos stabilizavimas
●MM1Z2V2B per MM1Z39B silicio plokštuminio Zenerio diodo kontūrai ir išoriniai matmenys
●MM1Z2V2B per MM1Z39B silicio planarinio Zenerio diodo kvalifikacija Pristatymo sąlygos:
* Atitinka RoHS
* Atitinka REACH
* L/T 4–5 savaites ir laikykite atsargas įprastoms dalims
* Ex-work, FCA, FOB
●Nuo MM1Z2V2B iki MM1Z39B Zenerio diodo didžiausios vertės ir šiluminės charakteristikos
Absoliučiai didžiausi įvertinimai (Ta = 25 OC)
Parametras |
Simbolis |
Vertė |
Vienetas |
Galios išsklaidymas |
Ptot |
500
|
mW |
Sankryžos temperatūra |
Tj |
150
|
OC |
Laikymo temperatūros diapazonas |
TStg |
- nuo 55 iki + 150 |
OC |
Charakteristikos esant Ta = 25 OC
Parametras |
Simbolis |
Maks. |
Vienetas |
Šiluminio atsparumo jungtis su aplinkos oru |
RthA |
340
|
OC/W |
Priekinė įtampa, kai IF = 10 mA |
VF |
0.9
|
V
|
●MM1Z2V2B per MM1Z39B silicio plokštuminio Zenerio diodo elektrinės charakteristikos
MM1Z2V2B~MM1Z39B charakteristikos esant Ta = 25 OC
Tipas |
Žymėjimo kodas |
Zenerio įtampos diapazonas1) |
Dinaminė varža2) |
Atvirkštinė nuotėkio srovė |
VznomV |
lZT už VZT |
ZZT (maks.) IZT |
IR (maks.) VR |
mA |
V
|
Ω
|
mA |
μA |
V
|
MM1Z2V2B |
9B |
2.2
|
5
|
2.1...2.4 |
100
|
5
|
120
|
0.7
|
MM1Z2V4B |
9C |
2.4
|
5
|
2,3–2,65 |
100
|
5
|
120
|
1
|
MM1Z2V7B |
9D |
2.7
|
5
|
2,65–2,95 |
110
|
5
|
120
|
1
|
MM1Z3V0B |
9E |
3.0
|
5
|
2,95–3,25 |
120
|
5
|
50
|
1
|
MM1Z3V3B |
9F |
3.3
|
5
|
3,25–3,55 |
120
|
5
|
20
|
1
|
MM1Z3V6B |
9H |
3.6
|
5
|
3,6–3,845 |
100
|
5
|
10
|
1
|
MM1Z3V9B |
9J |
3.9
|
5
|
3,89–4,16 |
100
|
5
|
5
|
1
|
MM1Z4V3B |
9 tūkst |
4.3
|
5
|
4.17…4.43 |
100
|
5
|
5
|
1
|
MM1Z4V7B |
9 mln |
4.7
|
5
|
4,55–4,75 |
100
|
5
|
2
|
1
|
MM1Z5V1B |
9N |
5.1
|
5
|
4,98 € 5,2 |
80
|
5
|
2
|
1.5
|
MM1Z5V6B |
9P |
5.6
|
5
|
5,49–5,73 |
60
|
5
|
1
|
2.5
|
MM1Z6V2B |
9R |
6.2
|
5
|
6.06…6.33 |
60
|
5
|
1
|
3
|
MM1Z6V8B |
9X |
6.8
|
5
|
6.65…6.93 |
40
|
5
|
0.5
|
3.5
|
MM1Z7V5B |
9Y |
7.5
|
5
|
7.28…7.6 |
30
|
5
|
0.5
|
4
|
MM1Z8V2B |
9Z |
8.2
|
5
|
8.02…8.36 |
30
|
5
|
0.5
|
5
|
MM1Z9V1B |
0A |
9.1
|
5
|
8.85…9.23 |
30
|
5
|
0.5
|
6
|
MM1Z10B |
0B |
10
|
5
|
9.77…10.21 |
30
|
5
|
0.1
|
7
|
MM1Z11B |
0C |
11
|
5
|
10.76–11.22 val |
30
|
5
|
0.1
|
8
|
MM1Z12B |
0D |
12
|
5
|
11.74…12.24 val |
30
|
5
|
0.1
|
9
|
MM1Z13B |
0E |
13
|
5
|
12.91–13.49 |
37
|
5
|
0.1
|
10
|
MM1Z15B |
0F |
15
|
5
|
14.34–14.98 val |
42
|
5
|
0.1
|
11
|
MM1Z16B |
0H |
16
|
5
|
15,85–16,51 |
50
|
5
|
0.1
|
12
|
MM1Z18B |
0J |
18
|
5
|
17.56–18.35 val |
65
|
5
|
0.1
|
13
|
MM1Z20B |
0 tūkst |
20
|
5
|
19.52–20.39 val |
85
|
5
|
0.1
|
15
|
MM1Z22B |
0 mln |
22
|
5
|
21.54–22.47 val |
100
|
5
|
0.1
|
17
|
MM1Z24B |
0N |
24
|
5
|
23,72–24,78 |
120
|
5
|
0.1
|
19
|
MM1Z27B |
0P |
27
|
5
|
26.19–27.53 val |
150
|
5
|
0.1
|
21
|
MM1Z30B |
0R |
30
|
5
|
29.19–30.69 |
200
|
5
|
0.1
|
23
|
MM1Z33B |
0X |
33
|
5
|
32,15–33,79 |
250
|
5
|
0.1
|
25
|
MM1Z36B |
0Y |
36
|
5
|
35.07–36.87 |
300
|
5
|
0.1
|
27
|
MM1Z39B |
0Z |
39
|
5
|
37–41 |
100
|
5
|
2
|
30
|
1) VZ tikrinamas impulsais (20 ms).
2) ZZT matuojamas ties IZ, kai gaunamas labai mažas kintamosios srovės signalas.