BC850 NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorius

●BC850 NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorius . Viršutinis diodas

BC850 NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorius 30V, 100mA NPN bendrosios paskirties tranzistoriai paviršiuje montuojamų įrenginių (SMD) plastikiniuose paketuose.

●BC850 NPN silicio epitaksinio bendrosios paskirties tranzistoriaus įvadas

BC850 NPN silicio epitaksinis tranzistorius, skirtas perjungimui ir stiprintuvams Kaip papildomus tipus rekomenduojami PNP tranzistoriai BC860

●BC850 NPN silicio epitaksinio bendrosios paskirties tranzistoriaus savybės

* Maža srovė

* Žema įtampa

* SMD plastikinės pakuotės

* Du skirtingi stiprinimo pasirinkimai

* Didelis srovės stiprinimas

* Žema kolektoriaus-emiterio soties įtampa

* Mažas triukšmas nuo 30 Hz iki 15 KHz

* Papildomi tipai: BC860(PNP)

●BC850 NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorius

* Bendrosios paskirties perjungimas ir stiprinimas

* AF įvesties etapams ir tvarkyklės programoms

* Signalų apdorojimas

* Adapteriai

* Apšvietimo programa

●BC850 NPN silicio epitaksinio bendrosios paskirties tranzistoriaus kvalifikacija, pristatymas ir sąlygos

* Atitinka RoHS reikalavimus

* Atitinka REACH

* Yra įprastas atsarginis diodas BC850

* Ex-work, FCA sąlygos arba FOB sąlygos

●BC850 NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorius Kontūrai ir išoriniai matmenys

●BC850 NPN silicio epitaksinio bendrosios paskirties tranzistoriaus elektrinės charakteristikos

Absoliutus didžiausios vertės (Ta = 25°C)

●Su BC850 NPN silicio epitaksiniu bendrosios paskirties tranzistoriumi susijusios dalys

BC850 NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorius – viršutinis diodas

Atitinka RoHS

Atitinka REACH