BC849 NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorius

●BC849 NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorius – viršutinis diodas

BC849 NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorius 30V, 100mA NPN bendrosios paskirties tranzistoriai paviršiuje montuojamų įrenginių (SMD) plastikiniuose paketuose.

●BC849 NPN silicio epitaksinio bendrosios paskirties tranzistoriaus įvadas

BC849 NPN silicio epitaksinis tranzistorius, skirtas perjungimui ir stiprintuvams Kaip papildomus tipus rekomenduojami PNP tranzistoriai BC859

●BC849 NPN silicio epitaksinio bendrosios paskirties tranzistoriaus savybės

* Maža srovė

* Žema įtampa

* SMD plastikinės pakuotės

* Du skirtingi stiprinimo pasirinkimai

* Didelis srovės stiprinimas

* Žema kolektoriaus-emiterio soties įtampa

* Mažas triukšmas nuo 30 Hz iki 15 KHz

* Papildomi tipai: BC859(PNP)

●BC849 NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorius

* Bendrosios paskirties perjungimas ir stiprinimas

* AF įvesties etapams ir tvarkyklės programoms

* Signalų apdorojimas

* Adapteriai

* Apšvietimo programa

●BC849 NPN silicio epitaksinio bendrosios paskirties tranzistoriaus kvalifikacija，Pristatymas, pristatymas ir sąlygos

* Atitinka RoHS reikalavimus

* Atitinka REACH

* Galimas įprastas atsarginis diodas BC849;

* Ex-work, FCA sąlygos arba FOB sąlygos

●BC849 NPN silicio epitaksinio bendrosios paskirties tranzistoriaus kontūrai ir išoriniai matmenys

●BC849 NPN silicio epitaksinio bendrosios paskirties tranzistoriaus elektrinės charakteristikos

Absoliučiai didžiausi įvertinimai (Ta = 25 OC)

Charakteristikos esant Ta = 25 OC

Parametras																															Simbolis					Min.			Tip.		Maks.					Vienetas
Nuolatinės srovės stiprinimas esant VCE= 5 V, IC= 2 mA																				Dabartinė pelno A grupė B C											hFE hFE hFE					110 200 420			- - -		220 450 800					- - -
Kolektoriaus bazės atjungimo srovė ties VCB = 30 V																															ICBO					-			-		15					nA
Kolektoriaus bazės gedimo įtampa esant IC= 100 µA																				BC846 BC847, BC850 BC848, BC849											V(BR)CBOV(BR)CBOV(BR)CBO					80 50 30			- - -		- - -					V V V
Kolektoriaus emiterio gedimo įtampa esant IC= 2 mA																				BC846 BC847, BC850 BC848, BC849											V(BR)CEOV(BR)CEOV(BR)CEO					65 45 30			- - -		- - -					V V V
Kolektoriaus emiterio gedimo įtampa esant IC= 100 µA																				BC846, BC847 BC848, BC849, BC850											V(BR)EBOV(BR)EBO					6 5			- -		- -					V V
Kolektoriaus emiterio prisotinimo įtampa esant IC= 10 mA, IB= 0,5 mA esant IC= 100 mA, IB= 5 mA																															VCEsatVCEsat					- -			- -		250 600					mV mV
Bazinis emiteris ant įtampos esant VCE= 5 V, IC= 2 mA prie VCE= 5 V, IC= 10 mA																															VBE(įjungta)VBE(įjungta)					580 -			- -		700 720					mV mV
Perėjimo dažnis esant VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz																															fT					-			300		-					MHz
Išėjimo talpa esant VCB= 10 V, f = 1 MHz																															Cob					-			-		6					pF
Įvesties talpa esant VEB= 0,5 V, f = 1 MHz																															Cib					-			9		-					pF

●Su BC849 NPN silicio epitaksiniu bendrosios paskirties tranzistoriumi susijusios dalys

BC849 NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorius-viršutinis diodas

Atitinka RoHS

Atitinka REACH