Kinijos BC848W NPN silicio epitaksinių bendrosios paskirties tranzistorių gamintojai ir tiekėjai

Prekės aprašymas
Specifikacijos
parsisiųsti

●BC848W NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorius – viršutinis diodas

BC848W NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorius 30V, 100mA NPN bendrosios paskirties tranzistoriai paviršiuje montuojamų įrenginių (SMD) plastikiniuose paketuose.

BC848W NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorius Įvadas

BC848W NPN plokštuminis tranzistorius yra skirtas bendrosios paskirties stiprintuvams. Jis įdėtas į SOT-323/SC-70 paketą, kuris skirtas mažos galios paviršiniam montavimui.

BC848W NPN dvipolis tranzistorius

●BC848W NPN silicio epitaksinio bendrosios paskirties tranzistoriaus savybės

* Bendrosios paskirties tranzistoriai

* SMD plastikinės pakuotės

* Trys skirtingi stiprinimo pasirinkimai

* Didelis srovės stiprinimas

* Žema kolektoriaus-emiterio soties įtampa

* Mažas triukšmas nuo 30 Hz iki 15 KHz

* Papildomas tipas: BC856W

●BC848W NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorius

* Bendros paskirties ir perjungimo programoms

* ESD apsauga

* Apsauga nuo poliškumo pasikeitimo

* Duomenų linijos apsauga

* Apsauga nuo indukcinės apkrovos

* Vairavimo logika

●BC848W NPN silicio epitaksinio bendrosios paskirties tranzistoriaus kvalifikacija, pristatymo laikas, pristatymo sąlygos

* Atitinka RoHS reikalavimus

* Atitinka REACH

* Įprastas atsarginis diodas

* Ex-work, FCA sąlygos arba FOB sąlygos

●BC848W NPN silicio epitaksinio bendrosios paskirties tranzistoriaus kontūrai ir išoriniai matmenys

●BC848W NPN silicio epitaksinio bendrosios paskirties tranzistoriaus elektrinės charakteristikos

Absoliučiai didžiausi įvertinimai (Ta = 25 OC)

Parametras		Simbolis	Vertė	Vienetas
Kolektoriaus bazinė įtampa	BC846W		80
	BC847W BC848W	VCBO	50 30	V
	BC849W		30
	BC850W		50
Kolektoriaus emiterio įtampa	BC846W		65
	BC847W BC848W	VCEO	45 30	V
	BC849W		30
	BC850W		45
Emiterio bazinė įtampa	BC846W		6
	BC847W BC848W	VEBO	6 5	V
	BC849W		5
	BC850W		5
Kolektoriaus srovė		IC	100	mA
Didžiausia kolektoriaus srovė		ICM	200	mA
Bendras galios išsklaidymas		Ptot	200	mW
Sankryžos temperatūra		Tj	150	OC
Laikymo temperatūros diapazonas		Tstg	- nuo 55 iki + 150	OC

BC846W – BC850W
Charakteristikos esant Ta = 25 OC

Parametras		Simbolis	Min.	Maks.	Vienetas
Nuolatinės srovės stiprinimas esant VCE= 5 V, IC= 2 mA	BC846AW~BC850AW BC846BW~BC850BW BC846CW~BC850CW	hFE hFE hFE	110 200 420	220 450 800	- - -
Kolektoriaus bazinė įtampa esant IC= 10 µA	BC846W BC847W BC848W BC849W BC850W	VCBO	80 50 30 30 50	- - - - -	V
Kolektoriaus emiterio įtampa esant IC= 10 mA	BC846W BC847W BC848W BC849W BC850W	VCEO	65 45 30 30 45	- - - - -	V
Emiterio bazinė įtampa esant IE = 1 µA	BC846W BC847W BC848W BC849W BC850W	VEBO	6 6 5 5 5	- - - - -	V
Kolektoriaus bazės atjungimo srovė esant VCB = 30 V		ICBO	-	15	nA
Emiterio bazės ribinė srovė prie VEB = 5 V		IEBO	-	100	nA
Kolektoriaus emiterio prisotinimo įtampa esant IC= 10 mA, IB= 0,5 mA IC= 100 mA, IB= 5 mA		VCE (šeštadienis)	- -	0.25 0.6	V
Bazinė emiterio įtampa esant VCE= 5 V, IC= 2 mA VCE= 5 V, IC= 10 mA		VBE	0.58 -	0.7 0.77	V
Perėjimo dažnis esant VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz		fT	100	-	MHz
Kolektoriaus išėjimo talpa esant VCB= 10 V, IE= 0, f = 1 MHz		Cob	-	4.5	pF

●Su BC848W NPN silicio epitaksiniu bendrosios paskirties tranzistoriumi susijusios dalys

BC848W NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorius-viršutinis diodas

Atitinka RoHS

Atitinka REACH

„Hot Tags“: BC848W NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorius, gamintojai, tiekėjai, pirkite, gamykla, sandėlyje, masinis, nemokamas pavyzdys, prekės ženklai, Kinija, pagaminta Kinijoje, kaina, kainoraštis, citata, REACH, ROHS, kokybė, patvarus, pažangus

Produkto žyma

Siųsti užklausą

Prašome nedvejodami kreipkitės į žemiau esančią formą. Mes atsakysime jums per 24 valandas.

Produktai

Nauji produktai

BC848W NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorius