BC846 NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorius

●BC846 NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorius – viršutinis diodas

BC846 NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorinis puslaidininkis, turintis kietą, nejudančią dalį, kuri praleidžia krūvį. Tranzistorius gali sustiprinti ir perjungti elektroninius signalus bei elektros energiją ir yra pagamintas iš puslaidininkinės medžiagos su mažiausiai trimis gnybtais, kurie naudojami prijungti prie išorinės grandinės. Tranzistoriai gali sustiprinti signalą, nes išėjimo galia gali būti didesnė už įėjimo galią. Įjungus įtampą arba srovę vienai iš gnybtų porų, keičiasi srovė per kitą gnybtų porą.

BC846 NPN silicio epitaksinis tranzistorius, skirtas perjungimui ir stiprintuvams Kaip papildomus tipus rekomenduojami PNP tranzistoriai BC856

●BC846 NPN silicio epitaksinio bendrosios paskirties tranzistoriaus įvadas

BC846 65 V, 100 mA NPN bendrosios paskirties tranzistoriai

NPN bendrosios paskirties tranzistoriai ant paviršiaus montuojamų įrenginių (SMD) plastikinėse pakuotėse.

●BC846 NPN silicio epitaksinio bendrosios paskirties tranzistoriaus savybės

* Bendrosios paskirties tranzistoriai

* SMD plastikinės pakuotės

* Du skirtingi stiprinimo pasirinkimai

* Didelis srovės stiprinimas

* Žema kolektoriaus-emiterio soties įtampa

* Mažas triukšmas nuo 30 Hz iki 15 KHz

* Papildomi tipai: BC856(PNP)

●BC846 NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorius

* Bendrosios paskirties perjungimas ir stiprinimas

* AF įvesties etapams ir tvarkyklės programoms

* Signalų apdorojimas

* Adapteriai

* Apšvietimo programa

●BC846 NPN silicio epitaksinio bendrosios paskirties tranzistoriaus kvalifikacijos pristatymas, pristatymas ir sąlygos

* Atitinka RoHS reikalavimus

* Atitinka REACH

* Įprastas atsarginis diodas

* Ex-work, FCA sąlygos arba FOB sąlygos

●BC846 NPN silicio epitaksinio bendros paskirties tranzistoriaus kontūrai ir išoriniai matmenys

●BC846 NPN silicio epitaksinis bendrosios paskirties tranzistorius ELEKTROS CHARAKTERISTIKOS

Absoliučiai didžiausi įvertinimai (Ta = 25 OC)

Charakteristikos esant Ta = 25 OC

Parametras																															Simbolis					Min.			Tip.		Maks.					Vienetas
Nuolatinės srovės stiprinimas esant VCE= 5 V, IC= 2 mA																				Dabartinė pelno A grupė B C											hFE hFE hFE					110 200 420			- - -		220 450 800					- - -
Kolektoriaus bazės atjungimo srovė ties VCB = 30 V																															ICBO					-			-		15					nA
Kolektoriaus bazės gedimo įtampa esant IC= 100 µA																				BC846 BC847, BC850 BC848, BC849											V(BR)CBOV(BR)CBOV(BR)CBO					80 50 30			- - -		- - -					V V V
Kolektoriaus emiterio gedimo įtampa esant IC= 2 mA																				BC846 BC847, BC850 BC848, BC849											V(BR)CEOV(BR)CEOV(BR)CEO					65 45 30			- - -		- - -					V V V
Kolektoriaus emiterio gedimo įtampa esant IC= 100 µA																				BC846, BC847 BC848, BC849, BC850											V(BR)EBOV(BR)EBO					6 5			- -		- -					V V
Kolektoriaus emiterio prisotinimo įtampa esant IC= 10 mA, IB= 0,5 mA esant IC= 100 mA, IB= 5 mA																															VCEsatVCEsat					- -			- -		250 600					mV mV
Bazinis emiteris ant įtampos esant VCE= 5 V, IC= 2 mA prie VCE= 5 V, IC= 10 mA																															VBE(įjungta)VBE(įjungta)					580 -			- -		700 720					mV mV
Perėjimo dažnis esant VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz																															fT					-			300		-					MHz
Išėjimo talpa esant VCB= 10 V, f = 1 MHz																															Cob					-			-		6					pF
Įvesties talpa esant VEB= 0,5 V, f = 1 MHz																															Cib					-			9		-					pF

●Su BC846 NPN silicio epitaksiniu bendrosios paskirties tranzistoriumi susijusios dalys

Diodinis lygintuvas M7-Topdiode

Atitinka RoHS

Atitinka REACH