●BC817W 45 V, 500 mA NPN Bendrosios paskirties tranzistoriai, viršutinis diodas
MMBT9014 NPN silicio epitaksiniai plokštumai bendrosios paskirties tranzistoriai 45V 0,2W 0,1A NPN SOT-23 dvipoliai tranzistoriai
MMBT9014 NPN silicio epitaksinis plokščiasis tranzistorius skirtas perjungimui ir AF stiprintuvams
Kaip papildomus tipus rekomenduojamas PNP tranzistorius MMBT9015
●BC817W 45 V, 500 mA NPN bendrosios paskirties tranzistoriai Įvadas
MMBT9014 NPN bendrosios paskirties tranzistorius mažoje SOT23 paviršiuje montuojamo įrenginio (SMD) plastikinėje pakuotėje
●BC817W 45 V, 500 mA NPN Bendrosios paskirties tranzistorių SAVYBĖS
* Didelis bendras galios išsklaidymas.
* Puikus hFE tiesiškumas.
*Papildo MMBT9015
●BC817W 45 V, 500 mA NPN bendrosios paskirties tranzistorių taikymas
* perjungimui ir AF stiprintuvams
* Adapteriai
* Apšvietimo programa
* Įmontuotas DC/DC keitiklis
●BC817W 45 V, 500 mA NPN bendrosios paskirties tranzistorių kvalifikacija,Pristatymas, pristatymas ir sąlygos
* Atitinka RoHS reikalavimus
* Atitinka REACH
* Galimas įprastinis diodų diodų lygintuvas M7;
* Ex-work, FCA sąlygos arba FOB sąlygos
●BC817W 45 V, 500 mA NPN bendrosios paskirties tranzistoriai kontūrai ir išoriniai matmenys
●BC817W 45 V, 500 mA NPN bendrosios paskirties tranzistoriai MAKSIMALIAI REIKALAVIMAI IR ELEKTROS CHARAKTERISTIKOS
Absoliutus didžiausi įvertinimai (Ta = 25℃)
Parametras |
Simbolis |
Vertė |
Vienetas |
Kolektoriaus bazės įtampa BC817W BC818W |
VCBO |
50
30
|
V
|
Kolektoriaus emiterio įtampa BC817W BC818W |
VCEO |
45
25
|
V
|
Emiterio bazinė įtampa |
VEBO |
5
|
V
|
Kolektoriaus srovė |
IC |
500
|
mA |
Galios išsklaidymas |
Ptot |
200
|
mW |
Sankryžos temperatūra |
TJ |
150
|
℃
|
Laikymo temperatūros diapazonas |
Tstg |
-65 iki +150 |
℃
|
1) Tranzistorius, sumontuotas ant FR4 spausdintinės plokštės.
Tamb charakteristikos = 25℃
Parametras |
Simbolis |
Min. |
Maks. |
Vienetas |
Nuolatinės srovės stiprinimas |
|
hFE
|
100
160
250
40
|
|
|
esant VCE= 1 V, IC= 100 mA |
|
250
|
|
|
-16W |
400
|
-
|
|
-25W |
600
|
-
|
|
-40W |
-
|
-
|
esant VCE= 1 V, IC= 500 mA |
|
|
|
-
|
Kolektoriaus atjungimo srovė esant VCB = 20 V |
ICBO |
-
|
100
|
nA |
Emiterio atjungimo srovė prie VEB = 5 V |
IEBO |
-
|
100
|
nA |
Kolektoriaus bazės gedimo įtampa esant IC= 10 µA |
BC817W BC818W |
V(BR)CBO |
50
30
|
-
|
V
|
Kolektoriaus emiterio gedimo įtampa esant IC= 10 mA |
BC817W BC818W |
V(BR) generalinis direktorius |
45
25
|
-
|
V
|
Emiterio bazės gedimo įtampa esant IE = 10 µA |
V(BR)EBO |
5
|
-
|
V
|
Kolektoriaus emiterio prisotinimo įtampa esant IC= 500 mA, IB= 50 mA |
VCEsat |
-
|
0.7
|
V
|
Bazinė emiterio įtampa esant IC = 500 mA, VCE = 1 V |
VBE |
-
|
1.2
|
V
|
Perėjimo dažnis esant VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz |
fT |
100
|
-
|
MHz |
Kolektoriaus talpa esant VCB= 10 V, f = 1 MHz |
Cc |
-
|
5
|
pF |