Kinijos BC337 NPN epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistorių gamintojai ir tiekėjai

Prekės aprašymas
Specifikacijos
parsisiųsti

BC337 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius – viršutinis diodas

BC337 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius, dvipolis (BJT) vienas tranzistorius, NPN, 45 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, per skylę

Tai yra BC337, NPN silicio BJT (dvipolio jungties tranzistorius). Šis mažas tranzistorius gali padėti jūsų projekte, nes jis naudojamas didelėms apkrovoms valdyti arba programoms stiprinti ar perjungti. BC337 yra specialiai skirtas 50 V ir 800 mA max.

BC337 NPN silicio epitaksinis plokščiasis tranzistorius, skirtas perjungimui ir stiprintuvams, šie tipai yra suskirstyti į tris grupes -16, -25 ir -40, atsižvelgiant į jų nuolatinės srovės stiprinimą

●BC337 NPN epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistoriaus įvadas

BC337 yra NPN silicio plokštuminis epitaksinis tranzistorius, tinkamas naudoti garso stiprintuvo tvarkyklės ir išvesties stadijose.

Įrenginys yra TO-92 pakuotėje, kuri yra skirta vidutinės galios programoms.

●BC337 NPN epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistoriaus savybės

* Perjungimo ir stiprintuvo programos

* Tinka AF-Driver etapams ir mažos galios išvesties etapams

* BC327 papildymas

●BC337 NPN epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistorių taikymas

* Garsas,

* Signalų apdorojimas

* Perjungimo ir stiprintuvo programos

●BC337 NPN epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistoriaus kvalifikacijaï¼ŒPristatymas, pristatymas ir sąlygos

* Atitinka RoHS reikalavimus

* Atitinka REACH

* Įprastas atsarginis diodas

* Ex-work, FCA sąlygos arba FOB sąlygos

●BC337 NPN epitaksinio silicio bendros paskirties tranzistoriaus kontūrai ir išoriniai matmenys

●BC337 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius DIDŽIAUSIOS NUOSTATOS IR ELEKTROS CHARAKTERISTIKOS

Absoliutus didžiausios vertės (Ta = 25 °C)

Parametras	Simbolis	BC337	BC338	Vienetas
Kolektoriaus bazinė įtampa	Vcbo	50	30	V
Kolektoriaus emiterio įtampa	Vceo	45	25	V
Emiterio bazinė įtampa	Vebo	5		V
Kolektoriaus srovė	lc	800		mA
Didžiausia kolektoriaus srovė	Icm	1		A
Bendras galios išsklaidymas	Ptot	625		mW
Sankryžos temperatūra	Tj	150		°C
Laikymo temperatūros diapazonas	Tstg	-55 iki +150		°C

Charakteristikos esant Ta = 25 °C

Parametras	Simbolis	Min.	Tip.	Maks.	Vienetas
Nuolatinės srovės stiprinimas esant VCE= 1 V, lc= 100 mA Srovės stiprinimo grupė -16 -25 -40 atVCe= 1 V, lc= 300 mA	hFE	100 160 250 60	-	250 400 630 -	-
Kolektoriaus bazės atjungimo srovė esant VCB= 50 V BC337 esant VCB= 30 V BC338	ICBO	-	-	100 100	nA
Kolektoriaus bazės gedimo įtampa BC337 esant lc= 100 uA BC338	V(BR)CBO	50 30	-	-	V
Kolektoriaus emiterio gedimo įtampa BC337 esant lc = 2 mA BC338	V(BR) generalinis direktorius	45 25	-	-	V
Emiterio bazės gedimo įtampa esant lE= 100 uA	V(BR)EBO	5	-	-	V
Kolektoriaus emiterio prisotinimo įtampa esant lc= 500 mA, lB= 50 mA	VCE (šeštadienis)	-	-	0.7	V
Bazinis emiteris ant įtampos atVCe= 1 V, lc= 300 mA	VBE (įjungta)	-	-	1.2	V
Gauti pralaidumą produktas esant VCE= 5 V, lc= 10 mA, f = 50 MHz	fT	-	100	-	MHz
Kolektoriaus bazinė talpa esant VCB= 10 V, f = 1 MHz	Cccbo	-	12	-	pF

●Su BC337 NPN epitaksiniu silicio bendrosios paskirties tranzistoriumi susijusios dalys

BC337 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius – viršutinis diodas

Atitinka RoHS

Atitinka REACH

„Hot Tags“: BC337 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius, gamintojai, tiekėjai, pirkite, gamykla, sandėlyje, masinis, nemokamas pavyzdys, prekės ženklai, Kinija, pagaminta Kinijoje, kaina, kainoraštis, citata, REACH, ROHS, kokybė, patvarus, pažangus

Produkto žyma

Siųsti užklausą

Prašome nedvejodami kreipkitės į žemiau esančią formą. Mes atsakysime jums per 24 valandas.

Produktai

Nauji produktai

BC337 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius

BC337 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius, dvipolis (BJT) vienas tranzistorius, NPN, 45 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, kiaurymė