Nauji produktai

2N2907 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius

2N2907 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius, skirtas perjungimui ir AF stiprintuvams. Tranzistorius yra suskirstytas į vieną grupę pagal jo nuolatinės srovės stiprinimą. Kaip papildomą tipą rekomenduojama naudoti NPN tranzistorius ST 2N2222 ir ST 2N2222A. Specialiu pageidavimu šie tranzistoriai gali būti gaminami skirtingomis kaiščių konfigūracijomis.

Siųsti užklausą PDF "DownLoad

Prekės aprašymas
Specifikacijos
parsisiųsti

2N2907 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius – viršutinis diodas

2N9707 su didele 600 mA srovės verte, žema 40 V įtampa, paketas TO-92

2N2907-2N2907A PNP silicio epitaksinis plokščiasis tranzistorius, skirtas perjungimui ir AF stiprintuvams. Tranzistorius yra suskirstytas į vieną grupę pagal jo nuolatinės srovės stiprinimą. Kaip papildomą tipą rekomenduojama naudoti NPN tranzistorius ST 2N2222 ir ST 2N2222A. Specialiu pageidavimu šie tranzistoriai gali būti gaminami skirtingomis kaiščių konfigūracijomis.

●2N2907 NPN epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistoriaus įvadas

2N2907 serijos tipas yra silicio PNP epitaksiniai plokštieji tranzistoriai, skirti mažiems signalams, bendrosios paskirties perjungimo programoms.

●2N2907 NPN epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistoriaus savybės

* Žema kolektoriaus prisotinimo įtampa (maks. 60V)

* Didelė srovė (maks. 600 mA)

* Didelio greičio perjungimas

* Emiter-Base Voltage VEBO 5,0 V

* Nepertraukiamo kolektoriaus srovės IC 600 mA

●2N2907 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius

* Mažos galios stiprinimas

* Programų perjungimas.

* Signalizacijai arba dviem LED arba lemputės blyksniams gaminti.

* Energijos valdymas, buitinė elektronika, nešiojamieji įrenginiai, pramonė

●2N2907 NPN epitaksinio silicio bendrosios paskirties tranzistoriaus kvalifikacija, pristatymas, pristatymas ir sąlygos

* Atitinka RoHS reikalavimus

* Atitinka REACH

* Įprastas atsarginis diodas

* Ex-work, FCA sąlygos arba FOB sąlygos

●2N2907 PNP epitaksinio silicio bendros paskirties tranzistoriaus kontūrai ir išoriniai matmenys

●2N2907 PNP epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius DIDŽIAUSIAI ĮVERTINIMAI IR ELEKTRINĖS CHARAKTERISTIKOS

Absoliutus didžiausios vertės (Ta = 25°C)

Parametras	Simbolis	Vertė	Vienetas
Kolektoriaus bazinė įtampa	-VCBO	60	V
Kolektoriaus emiterio įtampa 2N2907 2N2907A	-VCEO	40 60	V
Emiterio bazinė įtampa	-VEBO	5	V
Kolektoriaus srovė	-IC	600	mA
Galios išsklaidymas	Ptot	625	mW
Sankryžos temperatūra	Tj	150	°C
Laikymo temperatūros diapazonas	Tstg	- nuo 55 iki + 150	°C

2N2907 - 2N2907A
Charakteristikos esant Ta = 25 °C

Parametras		Simbolis	Min.	Maks.	Vienetas
Nuolatinės srovės stiprinimas esant -VCE= 10 V, -IC= 0,1 mA esant -VCE= 10 V, -IC= 1 mA esant -VCE= 10 V, -IC= 10 mA esant -VCE= 10 V, -IC= 150 mA esant -VCE= 10 V, -IC= 500 mA	2N2907 2N2907A 2N2907 2N2907A 2N2907 2N2907A 2N2907 2N2907A	hFE	35 75 50 100 75 100 100 30 50	- - - - - - 300 - -	- - - - - - - - -
Kolektoriaus bazės atjungimo srovė esant -VCB = 50 V	2N2907 2N2907A	-ICBO	- -	20 10	nA
Kolektoriaus bazės gedimo įtampa esant -IC= 10 µA		-V(BR)CBO	60	-	V
Kolektoriaus emiterio gedimo įtampa esant -IC= 10 mA	2N2907 2N2907A	-V(BR)generalinis direktorius	40 60	- -	V
Emiterio bazės gedimo įtampa esant -IE= 10 µA		-V(BR)EBO	5	-	V
Kolektoriaus emiterio prisotinimo įtampa esant -IC= 150 mA, -IB= 15 mA esant -IC= 500 mA, -IB= 50 mA		-VCE (šeštadienis)	- -	0.4 1.6	V
Bazinio emiterio prisotinimo įtampa esant -IC= 150 mA, -IB= 15 mA esant -IC= 500 mA, -IB= 50 mA		-VBE (šeštadienis)	- -	1.3 2.6	V
Gauti pralaidumą produktas esant -IC= 50 mA , -VCE= 20 V, f = 100 MHz		fT	200	-	MHz
Kolektoriaus išėjimo talpa esant -VCB= 10 V, f = 1 MHz		Cob	-	8	pF
Įvesties talpa esant -VBE= 2 V, f = 1 MHz		Cib	-	30	pF

● Su 2N2907 PNP epitaksiniu silicio bendrosios paskirties tranzistoriumi susijusios dalys

2N2907PNP epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius – viršutinis diodas

Atitinka RoHS

Atitinka REACH

„Hot Tags“: 2N2907 NPN epitaksinis silicio bendrosios paskirties tranzistorius, gamintojai, tiekėjai, pirkite, gamykla, sandėlyje, masinis, nemokamas pavyzdys, prekės ženklai, Kinija, pagaminta Kinijoje, kaina, kainoraštis, citata, REACH, ROHS, kokybė, patvarus, pažangus

Produkto žyma

Siųsti užklausą

Prašome nedvejodami kreipkitės į žemiau esančią formą. Mes atsakysime jums per 24 valandas.

Produktai